PROCESS FOR SELECTIVELY REMOVING NITRIDE FROM SUBSTRATES
A method of selectively removing silicon nitride from a substrate comprises providing a substrate having silicon nitride on a surface thereof; and dispensing phosphoric acid and sulfuric acid onto the surface of the substrate as a mixed acid liquid stream at a temperature greater than about 150°C. I...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A method of selectively removing silicon nitride from a substrate comprises providing a substrate having silicon nitride on a surface thereof; and dispensing phosphoric acid and sulfuric acid onto the surface of the substrate as a mixed acid liquid stream at a temperature greater than about 150°C. In this method, water is added to a liquid solution of the mixed acid liquid stream as or after the liquid solution of the mixed acid liquid stream passes through a nozzle.
La présente invention concerne un procédé d'élimination sélective de nitrures de silicium d'un substrat comprenant les étapes consistant à fournir un substrat ayant du nitrure de silicium sur une surface ; et à alimenter la surface du substrat en acide phosphorique et en acide sulfurique sous la forme d'un courant liquide d'un mélange d'acides à une température supérieure à environ 150°C. Dans ce procédé, de l'eau est ajoutée à une solution liquide du courant liquide de mélange d'acides lors du passage de la solution liquide du courant liquide de mélange d'acides à travers la buse ou après celui-ci. |
---|