PROCESS FOR SELECTIVELY REMOVING NITRIDE FROM SUBSTRATES

A method of selectively removing silicon nitride from a substrate comprises providing a substrate having silicon nitride on a surface thereof; and dispensing phosphoric acid and sulfuric acid onto the surface of the substrate as a mixed acid liquid stream at a temperature greater than about 150°C. I...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BECKER, DAVID S, RATKOVICH, ANTHONY S, BUTTERBAUGH, JEFFERY W
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method of selectively removing silicon nitride from a substrate comprises providing a substrate having silicon nitride on a surface thereof; and dispensing phosphoric acid and sulfuric acid onto the surface of the substrate as a mixed acid liquid stream at a temperature greater than about 150°C. In this method, water is added to a liquid solution of the mixed acid liquid stream as or after the liquid solution of the mixed acid liquid stream passes through a nozzle. La présente invention concerne un procédé d'élimination sélective de nitrures de silicium d'un substrat comprenant les étapes consistant à fournir un substrat ayant du nitrure de silicium sur une surface ; et à alimenter la surface du substrat en acide phosphorique et en acide sulfurique sous la forme d'un courant liquide d'un mélange d'acides à une température supérieure à environ 150°C. Dans ce procédé, de l'eau est ajoutée à une solution liquide du courant liquide de mélange d'acides lors du passage de la solution liquide du courant liquide de mélange d'acides à travers la buse ou après celui-ci.