A METHOD OF TRANSFERRING SILICON BASED LAYER ONTO POLYMER FILM

The present invention relates to a method of transferring a silicon based layer 101 a onto a polymer film 103 that comprises the steps of: preparing an initial substrate 105a; depositing a silicon-based layer 101 a on the initial substrate 105a; etching the silicon-based layer to form desired micro-nano structure; depositing a TiN layer 111 by RF sputtering; depositing a tungsten layer 109; etching back the tungsten layer 109 to form a planarised surface exposing the TiN layer 111 on the top of the silicon-based layer; removing the exposed portions of TiN 111 off the silicon-based layer 101a, thus forming a planarised surface comprising the silicon-based layer 101a with at least one tungsten plug 109 formed therein; coating a polymer film 103 onto the planarised surface; releasing the initial substrate 105a from the other layers; and removing the at least one tungsten plug 109 and TiN layer 111. La présente invention concerne un procédé de transfert d'une couche à base de silicium (101) sur un film polymère (103) qui comprend les étapes suivantes : préparer un substrat initial (105a) ; déposer une couche à base de silicium (101a) sur le substrat initial (105a) ; graver la couche à base de silicium pour former une micro- ou nanostructure souhaitée ; déposer une couche de TiN (111) par pulvérisation RF ; déposer une couche de tungstène (109) ; graver en retrait la couche de tungstène (109) pour former une surface planarisée exposant la couche de TiN (111) au sommet de la couche à base de silicium ; retirer les parties exposées de TiN (111) de la couche à base de silicium (101a) pour former ainsi une surface planarisée comprenant la couche à base de silicium (101a) avec au moins une fiche de tungstène (109) formée à l'intérieur ; déposer un film polymère (103) sur la surface planarisée ; décoller le substrat initial (105a) des autres couches ; et retirer la ou les fiche(s) de tungstène (109) et la couche de TiN (111).