DOUBLE PATTERNING WITH INLINE CRITICAL DIMENSION SLIMMING

A method for double patterning a substrate (110, 310) is described. The double patterning method may include a litho/freeze/litho/etch (LFLE) technique that includes a first (critical dimension) CD slimming process to reduce the first CD (124, 325) to a first reduced CD (126, 326) and a second CD sl...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: DUNN, SHANNON, W, HETZER, DAVE
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method for double patterning a substrate (110, 310) is described. The double patterning method may include a litho/freeze/litho/etch (LFLE) technique that includes a first (critical dimension) CD slimming process to reduce the first CD (124, 325) to a first reduced CD (126, 326) and a second CD slimming process to reduce the second CD (144, 326) to a second reduced CD (146, 335). L'invention concerne un procédé de double modelage des contours d'un substrat (110, 130). Le procédé de double modelage des contours peut faire appel à une technique de lithographie/gel/lithographie/gravure (LFLE) qui comprend un premier procédé d'amincissement de CD (dimension critique) pour réduire la première CD (124, 325) à une première CD réduite (126, 326) et un second procédé d'amincissement de CD pour réduire la seconde CD (144, 326) à une seconde CD réduite (146, 335).