WORD LINE KICKING VOLTAGE WHEN SENSING NON-VOLATILE STORAGE CELL

Methods and devices for sensing non-volatile starge are disclosed. Technology disclosed herin reduces the time for sensing operationsof non-volatile storage such as read and program verify. In one embodiment, a kicking voltage (dvkick) is applied to a selected word line during a sensing operation. T...

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1. Verfasser: YUH, JONG, HAK
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Methods and devices for sensing non-volatile starge are disclosed. Technology disclosed herin reduces the time for sensing operationsof non-volatile storage such as read and program verify. In one embodiment, a kicking voltage (dvkick) is applied to a selected word line during a sensing operation. The kicking voltage (900(a))may be applied to one end of a selected word line during a transition from a first reference voltage (Vcgrvl) to a second refence voltage (Vcgrv2).The kicking voltage may help the other end of the word line (900(b)) reach the second reference voltage quickly. Since the bit lines can be sensed after the selected word line has reached the target reference voltage, the time delay prior to sensing of the bit lines may be reduced. L'invention concerne des procédés et des dispositifs permettant de détecter une mémoire non volatile. La technologie de l'invention réduit le temps de détection d'opérations de mémoire non volatile telles que la lecture et la vérification de programmes. Dans un mode de réalisation, une tension de démarrage (dvkick) est appliquée à une ligne de mots sélectionnée pendant une opération de détection. La tension de démarrage (900(a)) peut être appliquée à une extrémité d'une ligne de mots sélectionnée pendant une transition depuis une première tension de référence (Vcgrvl) vers une seconde tension de référence (Vcgrv2). La tension de démarrage peut aider l'autre extrémité de la ligne de mots (900(b)) à atteindre rapidement la seconde tension de référence. Comme les lignes de bits peuvent être détectées après que la ligne de mots sélectionnée a atteint la tension de référence cible, le délai avant la détection des lignes de bits peut être réduit.