METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE
A method for manufacturing a semiconductor device, includes: providing a first conductivity-type bulk doped semiconductor substrate with a first surface and a second surface opposite thereto; removing the native oxide on at least one of the first and the second surface to expose the semiconductor ma...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | VLOOSWIJK, ADRIANUS HENRICUS GERARDUS VENEMA, PETER ROELF NANVER, LIS KAREN DE BOER, WIEBE BARTELD MOK KAI RINE, CAROLINE |
| description | A method for manufacturing a semiconductor device, includes: providing a first conductivity-type bulk doped semiconductor substrate with a first surface and a second surface opposite thereto; removing the native oxide on at least one of the first and the second surface to expose the semiconductor material; by chemical vapor deposition using a boron precursor gas forming a layer of amorphous boron on top of the exposed semiconductor material such that an effective p++ type layer is formed.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant les étapes suivantes : se procurer un substrat semiconducteur dopé dans la masse, d'un premier type de conductivité, possédant une première surface et une seconde surface, qui lui est opposée ; éliminer l'oxyde natif d'au moins l'une des deux surfaces afin d'exposer le matériau semiconducteur ; former, par dépôt chimique en phase vapeur utilisant un gaz précurseur du bore, une couche de bore amorphe au-dessus du matériau semiconducteur exposé, de manière à former une couche de type p++ efficace. |
| format | Patent |
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L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant les étapes suivantes : se procurer un substrat semiconducteur dopé dans la masse, d'un premier type de conductivité, possédant une première surface et une seconde surface, qui lui est opposée ; éliminer l'oxyde natif d'au moins l'une des deux surfaces afin d'exposer le matériau semiconducteur ; former, par dépôt chimique en phase vapeur utilisant un gaz précurseur du bore, une couche de bore amorphe au-dessus du matériau semiconducteur exposé, de manière à former une couche de type p++ efficace.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120524&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012067509A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120524&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012067509A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>VLOOSWIJK, ADRIANUS HENRICUS GERARDUS</creatorcontrib><creatorcontrib>VENEMA, PETER ROELF</creatorcontrib><creatorcontrib>NANVER, LIS KAREN</creatorcontrib><creatorcontrib>DE BOER, WIEBE BARTELD</creatorcontrib><creatorcontrib>MOK KAI RINE, CAROLINE</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE</title><description>A method for manufacturing a semiconductor device, includes: providing a first conductivity-type bulk doped semiconductor substrate with a first surface and a second surface opposite thereto; removing the native oxide on at least one of the first and the second surface to expose the semiconductor material; by chemical vapor deposition using a boron precursor gas forming a layer of amorphous boron on top of the exposed semiconductor material such that an effective p++ type layer is formed.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant les étapes suivantes : se procurer un substrat semiconducteur dopé dans la masse, d'un premier type de conductivité, possédant une première surface et une seconde surface, qui lui est opposée ; éliminer l'oxyde natif d'au moins l'une des deux surfaces afin d'exposer le matériau semiconducteur ; former, par dépôt chimique en phase vapeur utilisant un gaz précurseur du bore, une couche de bore amorphe au-dessus du matériau semiconducteur exposé, de manière à former une couche de type p++ efficace.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHDzdQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1dwVAh29fV09vcD8kOAMi6uYZ7OrgqOfi44pHgYWNMSc4pTeaE0N4Oym2uIs4duakF-fGpxQWJyal5qSXy4v5GBoZGBmbmpgaWjoTFxqgBE7y0D</recordid><startdate>20120524</startdate><enddate>20120524</enddate><creator>VLOOSWIJK, ADRIANUS HENRICUS GERARDUS</creator><creator>VENEMA, PETER ROELF</creator><creator>NANVER, LIS KAREN</creator><creator>DE BOER, WIEBE BARTELD</creator><creator>MOK KAI RINE, CAROLINE</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120524</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE</title><author>VLOOSWIJK, ADRIANUS HENRICUS GERARDUS ; VENEMA, PETER ROELF ; NANVER, LIS KAREN ; DE BOER, WIEBE BARTELD ; MOK KAI RINE, CAROLINE</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2012067509A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2012</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>VLOOSWIJK, ADRIANUS HENRICUS GERARDUS</creatorcontrib><creatorcontrib>VENEMA, PETER ROELF</creatorcontrib><creatorcontrib>NANVER, LIS KAREN</creatorcontrib><creatorcontrib>DE BOER, WIEBE BARTELD</creatorcontrib><creatorcontrib>MOK KAI RINE, CAROLINE</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>VLOOSWIJK, ADRIANUS HENRICUS GERARDUS</au><au>VENEMA, PETER ROELF</au><au>NANVER, LIS KAREN</au><au>DE BOER, WIEBE BARTELD</au><au>MOK KAI RINE, CAROLINE</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE</title><date>2012-05-24</date><risdate>2012</risdate><abstract>A method for manufacturing a semiconductor device, includes: providing a first conductivity-type bulk doped semiconductor substrate with a first surface and a second surface opposite thereto; removing the native oxide on at least one of the first and the second surface to expose the semiconductor material; by chemical vapor deposition using a boron precursor gas forming a layer of amorphous boron on top of the exposed semiconductor material such that an effective p++ type layer is formed.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant les étapes suivantes : se procurer un substrat semiconducteur dopé dans la masse, d'un premier type de conductivité, possédant une première surface et une seconde surface, qui lui est opposée ; éliminer l'oxyde natif d'au moins l'une des deux surfaces afin d'exposer le matériau semiconducteur ; former, par dépôt chimique en phase vapeur utilisant un gaz précurseur du bore, une couche de bore amorphe au-dessus du matériau semiconducteur exposé, de manière à former une couche de type p++ efficace.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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