METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

A method for manufacturing a semiconductor device, includes: providing a first conductivity-type bulk doped semiconductor substrate with a first surface and a second surface opposite thereto; removing the native oxide on at least one of the first and the second surface to expose the semiconductor material; by chemical vapor deposition using a boron precursor gas forming a layer of amorphous boron on top of the exposed semiconductor material such that an effective p++ type layer is formed. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant les étapes suivantes : se procurer un substrat semiconducteur dopé dans la masse, d'un premier type de conductivité, possédant une première surface et une seconde surface, qui lui est opposée ; éliminer l'oxyde natif d'au moins l'une des deux surfaces afin d'exposer le matériau semiconducteur ; former, par dépôt chimique en phase vapeur utilisant un gaz précurseur du bore, une couche de bore amorphe au-dessus du matériau semiconducteur exposé, de manière à former une couche de type p++ efficace.