CONTACT PAD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

The present disclosure relates to forming multi - layered contact pads for a semiconductor device, wherein the various layers of the contact pad are formed using one or more thin - film deposition processes, such as an evaporation process. Each contact pad includes an adhesion layer, (20) which is formed over the device structure for the semiconductor device; a titanium nitride (TiN) barrier layer, (22) which is formed over the adhesion layer (24); and an overlay layer, which is formed over the barrier layer. At least the titanium nitride (TiN) barrier layer (22) is formed using an evaporation process. La présente invention se rapporte à la formation de plages de contact multicouches destinées à un dispositif à semi-conducteur, les différentes couches de la plage de contact étant formées à l'aide d'un ou plusieurs procédés de dépôt de couche mince, tels qu'un procédé d'évaporation. Chaque plage de contact comprend : une couche d'adhérence formée sur la structure de dispositif destinée au dispositif à semi-conducteur ; une couche barrière au nitrure de titane (TiN) formée sur la couche d'adhérence ; et une couche de revêtement formée sur la couche barrière. Un procédé d'évaporation est utilisé pour former au moins la couche barrière au nitrure de titane (TiN).