CONTACT PAD
The present disclosure relates to forming multi-layered contact pads for a semiconductor device, wherein the various layers of the contact pad are formed using one or more thin-film deposition processes, such as an evaporation process. Each contact pad includes an adhesion layer, which is formed ove...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | GURGANUS, JASON MIECZKOWSKI, VAN HAGLEITNER, HELMUT AGARWAL, ANANT |
| description | The present disclosure relates to forming multi-layered contact pads for a semiconductor device, wherein the various layers of the contact pad are formed using one or more thin-film deposition processes, such as an evaporation process. Each contact pad includes an adhesion layer, which is formed over the device structure for the semiconductor device; a titanium nitride (TiN) barrier layer, which is formed over the adhesion layer; and an overlay layer, which is formed over the barrier layer. At least the titanium nitride (TiN) barrier layer is formed using an evaporation process.
La présente invention se rapporte à la formation de plages de contact multicouches destinées à un dispositif à semi-conducteur, les différentes couches de la plage de contact étant formées à l'aide d'un ou plusieurs procédés de dépôt de couche mince, tels qu'un procédé d'évaporation. Chaque plage de contact comprend : une couche d'adhérence formée sur la structure de dispositif destinée au dispositif à semi-conducteur ; une couche barrière au nitrure de titane (TiN) formée sur la couche d'adhérence ; et une couche de revêtement formée sur la couche barrière. Un procédé d'évaporation est utilisé pour former au moins la couche barrière au nitrure de titane (TiN). |
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La présente invention se rapporte à la formation de plages de contact multicouches destinées à un dispositif à semi-conducteur, les différentes couches de la plage de contact étant formées à l'aide d'un ou plusieurs procédés de dépôt de couche mince, tels qu'un procédé d'évaporation. Chaque plage de contact comprend : une couche d'adhérence formée sur la structure de dispositif destinée au dispositif à semi-conducteur ; une couche barrière au nitrure de titane (TiN) formée sur la couche d'adhérence ; et une couche de revêtement formée sur la couche barrière. Un procédé d'évaporation est utilisé pour former au moins la couche barrière au nitrure de titane (TiN).</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120518&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012064636A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120518&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012064636A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GURGANUS, JASON</creatorcontrib><creatorcontrib>MIECZKOWSKI, VAN</creatorcontrib><creatorcontrib>HAGLEITNER, HELMUT</creatorcontrib><creatorcontrib>AGARWAL, ANANT</creatorcontrib><title>CONTACT PAD</title><description>The present disclosure relates to forming multi-layered contact pads for a semiconductor device, wherein the various layers of the contact pad are formed using one or more thin-film deposition processes, such as an evaporation process. Each contact pad includes an adhesion layer, which is formed over the device structure for the semiconductor device; a titanium nitride (TiN) barrier layer, which is formed over the adhesion layer; and an overlay layer, which is formed over the barrier layer. At least the titanium nitride (TiN) barrier layer is formed using an evaporation process.
La présente invention se rapporte à la formation de plages de contact multicouches destinées à un dispositif à semi-conducteur, les différentes couches de la plage de contact étant formées à l'aide d'un ou plusieurs procédés de dépôt de couche mince, tels qu'un procédé d'évaporation. Chaque plage de contact comprend : une couche d'adhérence formée sur la structure de dispositif destinée au dispositif à semi-conducteur ; une couche barrière au nitrure de titane (TiN) formée sur la couche d'adhérence ; et une couche de revêtement formée sur la couche barrière. Un procédé d'évaporation est utilisé pour former au moins la couche barrière au nitrure de titane (TiN).</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZOB29vcLcXQOUQhwdOFhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGhkYGZiZmxmaORsbEqQIA1pkc4Q</recordid><startdate>20120518</startdate><enddate>20120518</enddate><creator>GURGANUS, JASON</creator><creator>MIECZKOWSKI, VAN</creator><creator>HAGLEITNER, HELMUT</creator><creator>AGARWAL, ANANT</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120518</creationdate><title>CONTACT PAD</title><author>GURGANUS, JASON ; MIECZKOWSKI, VAN ; HAGLEITNER, HELMUT ; AGARWAL, ANANT</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2012064636A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2012</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GURGANUS, JASON</creatorcontrib><creatorcontrib>MIECZKOWSKI, VAN</creatorcontrib><creatorcontrib>HAGLEITNER, HELMUT</creatorcontrib><creatorcontrib>AGARWAL, ANANT</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GURGANUS, JASON</au><au>MIECZKOWSKI, VAN</au><au>HAGLEITNER, HELMUT</au><au>AGARWAL, ANANT</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CONTACT PAD</title><date>2012-05-18</date><risdate>2012</risdate><abstract>The present disclosure relates to forming multi-layered contact pads for a semiconductor device, wherein the various layers of the contact pad are formed using one or more thin-film deposition processes, such as an evaporation process. Each contact pad includes an adhesion layer, which is formed over the device structure for the semiconductor device; a titanium nitride (TiN) barrier layer, which is formed over the adhesion layer; and an overlay layer, which is formed over the barrier layer. At least the titanium nitride (TiN) barrier layer is formed using an evaporation process.
La présente invention se rapporte à la formation de plages de contact multicouches destinées à un dispositif à semi-conducteur, les différentes couches de la plage de contact étant formées à l'aide d'un ou plusieurs procédés de dépôt de couche mince, tels qu'un procédé d'évaporation. Chaque plage de contact comprend : une couche d'adhérence formée sur la structure de dispositif destinée au dispositif à semi-conducteur ; une couche barrière au nitrure de titane (TiN) formée sur la couche d'adhérence ; et une couche de revêtement formée sur la couche barrière. Un procédé d'évaporation est utilisé pour former au moins la couche barrière au nitrure de titane (TiN).</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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