CONTACT PAD

The present disclosure relates to forming multi-layered contact pads for a semiconductor device, wherein the various layers of the contact pad are formed using one or more thin-film deposition processes, such as an evaporation process. Each contact pad includes an adhesion layer, which is formed over the device structure for the semiconductor device; a titanium nitride (TiN) barrier layer, which is formed over the adhesion layer; and an overlay layer, which is formed over the barrier layer. At least the titanium nitride (TiN) barrier layer is formed using an evaporation process. La présente invention se rapporte à la formation de plages de contact multicouches destinées à un dispositif à semi-conducteur, les différentes couches de la plage de contact étant formées à l'aide d'un ou plusieurs procédés de dépôt de couche mince, tels qu'un procédé d'évaporation. Chaque plage de contact comprend : une couche d'adhérence formée sur la structure de dispositif destinée au dispositif à semi-conducteur ; une couche barrière au nitrure de titane (TiN) formée sur la couche d'adhérence ; et une couche de revêtement formée sur la couche barrière. Un procédé d'évaporation est utilisé pour former au moins la couche barrière au nitrure de titane (TiN).