HIGH FREQUENCY SWITCH CIRCUIT

Provided is a high frequency switch circuit capable of switching with a high performance and a small power consumption and at a low cost without using a power source other than a control voltage. A high frequency switch circuit provided with: a first and a second rectifier circuit (12, 22) which respectively contain at least one rectifier element (D11, D12, D21, D22) such that the direction from the respective control terminals (CT1, CT2) to the ground (GND) becomes a forward direction as a consequence of the first and second rectifier circuits (12, 22) being connected to a point between the gate terminal of the respective MOSFET circuits (11, 21) and the respective control terminals (CT1, CT2) on one end and to the ground (GND) on the other end; and a connecting unit (3) to which the forward direction current input terminal side of at least one of the rectifier elements of the first and second rectifier circuits (12, 22) and the main terminal side of the first or second MOSFET circuit (11, 21) are connected. . L'invention concerne un circuit de commutation haute fréquence pouvant assurer une commutation haute performance, consommer peu d'électricité et être peu couteux du fait que la seule source d'énergie utilisée est celle d'une tension de commande. Le circuit de commutation haute fréquence de l'invention comprend : un premier et un deuxième circuit de redresseur (12, 22) qui contiennent respectivement au moins un élément de redresseur (D11, D12, D21, D22) de manière que la direction des bornes de commande respectives (CT1, CT2) à la terre (GND) devienne une direction « avant » du fait que les premier et deuxième circuits de redresseur (12, 22) sont reliés à un point entre la borne de porte des circuits MOSFET respectifs (11, 21) et les bornes de commande respectives (CT1, CT2) à une extrémité et à la terre (GND) à l'autre extrémité ; et une unité de connexion (3) à laquelle sont connectés, d'une part, le côté borne d'entrée de courant « direction avant » d'au moins un des éléments de redresseur des premier et deuxième circuits de redresseur (12, 22) et, d'autre part, le côté borne principale du premier ou deuxième circuit MOSFET (11, 21). .