ETCHING OF OXIDE MATERIALS

Oxide film deposits are removed from a film-forming apparatus. In the disclosed methods, a fluorine-containing gas, preferably plasma treated NF3, reacts with the oxide film deposits. The vapors of an organic compound, preferably t-butyl alcohol or acetylacetonate, react with the fluorinated oxide f...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: TOGE, TERUKUNI, BLASCO, NICOLAS, TERAMOTO, TAKASHI, SONOBE, JUN, CHEVREL, HENRI
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Oxide film deposits are removed from a film-forming apparatus. In the disclosed methods, a fluorine-containing gas, preferably plasma treated NF3, reacts with the oxide film deposits. The vapors of an organic compound, preferably t-butyl alcohol or acetylacetonate, react with the fluorinated oxide film deposits and generate volatile meta! species which are easily removed from the apparatus. Selon la présente invention, les dépôts de couche d'oxyde sont supprimés d'un appareil de formation de film. Selon les procédés de la présente invention, un gaz contenant du fluor, de préférence du NF3 traité au plasma, réagit avec les dépôts de couche d'oxyde. Les vapeurs d'un composé organique, de préférence de l'alcool t-butylique ou de l'acétylacétonate, réagissent avec les dépôts de couche d'oxyde fluorés et génèrent des espèces métalliques volatiles qui sont facilement supprimées de l'appareil.