ATOMIC LAYER DEPOSITION OF PHOTORESIST MATERIALS AND HARD MASK PRECURSORS

Methods for forming photoresists sensitive to radiation on substrate are provided. Atomic layer deposition methods of forming films (e.g., silicon-containing films) photoresists are described. The process can be repeated multiple times to deposit a plurality of silicon photoresist layers. Process of depositing photoresist and forming patterns in photoresist are also disclosed which utilize carbon containing underlayers such as amorphous carbon layers. L'invention concerne des procédés de formation de pellicules photorésistantes sensibles aux radiations sur le substrat. Des procédés de dépôt de couche atomique de formation de films (par exemple, de films contenant du silicium) photorésistants sont décrits. Le procédé peut être répété de multiple fois pour déposer une pluralité de couches de silicium photorésistantes. Le procédé de dépôt de matériau photorésistant et de formation de modèles dans le matériau photorésistant est aussi divulgué, procédé qui utilise des sous-couches contenant du carbone comme des couches de carbone amorphe.