SUBTRACTIVE PATTERNING TO DEFINE CIRCUIT COMPONENTS

Certain embodiments pertain to local interconnects formed by subtractive patterning of blanket layer of tungsten or other conductive material. The grain sizes of tungsten or other deposited metal can be grown to relatively large dimensions, which results in increased electrical conductivity due to, e.g., reduced electron scattering at grain boundaries as electrons travel from one grain to the next during conduction. Conformément à certains modes de réalisation, l'invention porte sur des interconnexions locales formées par formation de motifs par soustraction sur une couche de couverture de tungstène ou d'un autre matériau conducteur. Les tailles de grain de tungstène ou d'un autre métal déposé peuvent se développer jusqu'à atteindre des dimensions relativement grandes, ce qui conduit à une conductivité électrique accrue en raison, par exemple d'une diffusion d'électrons réduite à des joints de grain au fur et à mesure que des électrons se déplacent d'un grain au suivant durant une conduction.