PROJECTION EXPOSURE TOOL FOR MICROLITHOGRAPHY AND METHOD FOR MICROLITHOGRAPHIC EXPOSURE

A projection exposure tool (210) for microlithography configured for exposing a substrate (20) to be structured by respective imaging of mask structures of a reticle (214) comprising at least one layer onto different regions of the substrate (20) in a number of exposure steps, comprising: irradiation optics (213) configured to irradiate a front side (216) of the reticle with exposure radiation (226) during the exposure of the substrate (20), a measuring apparatus (240) for taking a topography measurement on the reticle layer, which measuring apparatus (240) is arranged to irradiate measuring light onto a rear side (215) of the reticel (214), and a control apparatus (60) which is configured to control the measuring apparatus (40) such that during the period of time required to expose the substrate the topography of at least one section of the reticle layer is measured. La présente invention a trait à un outil d'exposition par projection (210) pour la microlithographie qui est conçu pour exposer, en un certain nombre d'étapes d'exposition, un substrat (20) devant être structuré grâce à l'imagerie respective de structures de masque d'un réticule (214) comportant au moins une couche sur différentes zones du substrat (20), et qui comprend : une optique d'irradiation (213) servant à irradier une face avant (216) du réticule à l'aide d'un rayonnement d'exposition (226) au cours de l'exposition du substrat (20) ; un appareil de mesure (240) destiné à réaliser une mesure de la topographie sur la couche de réticule, ledit appareil de mesure (240) étant conçu pour irradier une lumière de mesure sur une face arrière (215) du réticule (214) ; et un appareil de commande (60) conçu pour commander l'appareil de mesure (40) de manière à ce que, pendant le laps de temps nécessaire à l'exposition du substrat, la topographie d'au moins une section de la couche de réticule soit mesurée.