METHOD OF IMPROVING MECHANICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR INTERCONNECTS WITH NANOPARTICLES

In a BEOL process, UV radiation is used in a curing process of ultra low-k (ULK) dielectrics 100. This radiation penetrates through the ULK material and reaches the cap film underneath it. The interaction between the UV light and the film leads to a change the properties of the cap film. Of particular concern is the change in the stress state of the cap from compressive to tensile stress. This leads to a weaker dielectric-cap interface and mechanical failure of the ULK film. A layer of nanoparticles 120 is inserted between the cap 130 and the ULK film. The nanoparticles absorb the UV light before it can damage the cap film, thus maintaining the mechanical integrity of the ULK dielectric. Selon l'invention, dans un procédé BEOL, un rayonnement ultraviolet est utilisé dans un processus de durcissement de diélectriques à k ultra-faible (ULK) 100. Ce rayonnement pénètre à travers le matériau ULK et atteint le film de capsule au-dessous de celui-ci. L'interaction entre la lumière ultraviolette et le film produit un changement des propriétés du film de la capsule. Le changement de l'état de contrainte de la capsule d'une contrainte de compression à une contrainte de traction pose particulièrement problème. Ceci produit une interface diélectrique-capsule plus faible et une défaillance mécanique du film ULK. Une couche de nanoparticules 120 est insérée entre la capsule 130 et le film ULK. Les nanoparticules absorbent la lumière ultraviolette avant qu'elle ne puisse endommager le film de capsule, de façon à maintenir ainsi l'intégrité mécanique du diélectrique ULK.