IMPROVED ULTRASONIC CLEANING METHOD AND APPARATUS

A device and method for treating the surface of a semiconductor wafer provides a treatment fluid in the form of a dispersion of gas bubbles in a treatment liquid generated at acoustic pressures less than those required to induce cavitation in the treatmentliquid. A resonator supplies ultrasonic or megasonic energy to the treatment fluid and is configured to create aninterference pattern inthe treatment fluid comprising regions of pressure amplitude minima and maxima at an interface of the treatment fluid and the semiconductor wafer. L'invention concerne un dispositif et un procédé pour traiter la surface d'une tranche de semi-conducteur, qui mettent en oeuvre un fluide de traitement sous la forme d'une dispersion de bulles de gaz dans un liquide de traitement généré à des pressions acoustiques inférieures à celles nécessaires pour induire une cavitation dans le fluide de traitement. Un résonateur, qui apporte de l'énergie ultrasonore ou mégasonore au fluide de traitement, est configuré de façon à créer dans le fluide de traitement un diagramme d'interférence comportant des zones d'amplitude de pression minimale et maximale au niveau d'une interface du fluide de traitement et de la tranche de semi-conducteur.