OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2) auf einem Substrat (5) und mit einer Spiegelschicht (3) angegeben, die vollständig in einer Schicht (4) mit einem transparenten leitenden Oxid eingebettet ist. Weiterhin wird ein Verfah...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WALTER, ROBERT, GUENTHER, OLIVER, BRUENINGHOFF, STEFANIE, MAUTE, MARKUS, KLEMP, CHRISTOPH, ENGL, KARL
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2) auf einem Substrat (5) und mit einer Spiegelschicht (3) angegeben, die vollständig in einer Schicht (4) mit einem transparenten leitenden Oxid eingebettet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. An optoelectronic semiconductor chip is specified comprising a semiconductor layer sequence (1) having an active region (2) on a substrate (5) and comprising a mirror layer (3), which is completely embedded in a layer (4) comprising a transparent conductive oxide. Furthermore, a method for producing an optoelectronic semiconductor chip is specified. L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique comprenant une succession de couches semi-conductrices (1) comportant une zone active (2) sur un substrat (5) et une couche miroir (3) qui est totalement incorporée dans une couche (4) comportant un oxyde conducteur transparent. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice optoélectronique.