SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS; AND METHODS FOR PROVIDING ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL WITHIN OPENINGS

Some embodiments include methods for depositing copper-containing material utilizing physical vapor deposition of the copper-containing material while keeping a temperature of the deposited copper-containing material at greater than 100°C. Some embodiments include methods in which openings are lined with a metal-containing composition, copper-containing material is physical vapor deposited over the metal- containing composition while a temperature of the copper-containing material is no greater than about 0°C, and the copper-containing material is then annealed while the copper-containing material is at a temperature in a range of from about 180°C to about 250°C. Some embodiments include methods in which openings are lined with a composition containing metal and nitrogen, and the lined openings are at least partially filled with copper-containing material. Some embodiments include semiconductor constructions having a metal nitride liner along sidewall peripheries of an opening, and having copper-containing material within the opening and directly against the metal nitride liner. Quelques formes de réalisation de l'invention incluent des procédés pour déposer un matériau contenant du cuivre en utilisant le dépôt physique en phase vapeur du matériau contenant du cuivre tout en gardant une température du matériau contenant du cuivre déposé de plus de 100°C. Quelques formes de réalisation incluent des procédés dans lesquels les ouvertures sont garnies d'une composition contenant un métal, le matériau contenant du cuivre est obtenu par dépôt physique en phase vapeur sur la composition contenant un métal alors que la température du matériau contenant du cuivre n'est pas supérieure à environ 0°C, et le matériau contenant du cuivre est ensuite recuit alors que le matériau contenant du cuivre est à une température dans une plage d'environ 180°C à environ 250°C. Quelques formes de réalisation incluent des procédés dans lesquels les ouvertures sont garnies avec une composition contenant un métal et de l'azote, et les ouvertures garnies sont au moins partiellement remplies avec du matériau contenant du cuivre. Quelques formes de réalisation incluent des constructions de semi-conducteurs ayant une garniture de nitrure de métal le long des périphéries latérales d'une ouverture et ayant un matériau contenant du cuivre dans l'ouverture et directement contre la garniture de nitrure de métal.