METHOD FOR PRODUCTION OF TRICHLOROSILANE AND SILICON FOR USE IN THE PRODUCTION OF TRICHLOROSILANE

The present invention relates to a method for the production of trichlorosilane by reaction of silicon with HCI gas at a temperature between 250° and 1 100°C, and an absolute pressure of 0.5 - 30 atm in a fluidized bed reactor, in a stirred bed reactor or a solid bed reactor, where the silicon supplied to the reactor contains between 40 and 10.000 ppm by weight barium and optionally 40 -10000 ppm by weight copper The invention further relates to silicon for use in the production of trichlorosilane by reaction of silicon with HCI gas, containing between 40 and 10.000 ppm by weight barium and optionally 40 - 10000 ppm by weight copper, the remaining except for normal impurities being silicon. Cette invention concerne un procédé de production de trichlorosilane par réaction de silicium avec un gaz HCl à une température entre 250 et 1100°C, et une pression absolue de 0,5-30 atm dans un réacteur à lit fluidisé, un réacteur à lit agité ou un réacteur à lit solide, le silicium chargé dans le réacteur contenant entre 40 et 10,000 ppm en poids de baryum et éventuellement, entre 40 et 10000 ppm en poids de cuivre. Cette invention concerne, en outre, le silicium destiné à être utilisé dans la production du trichlorosilane par réaction du silicium avec un gaz HCl, ledit silicium contenant entre 40 et 10,000 ppm en poids de baryum et éventuellement, entre 40 et 10000 ppm en poids de cuivre, le reste, exception faite des impuretés normales, étant du silicium.