METHOD AND STRUCTURE TO IMPROVE THE CONDUCTIVITY OF NARROW COPPER FILLED VIAS

Techniques for improving the conductivity of copper (Cu)-filled vias are provided. In one aspect, a method of fabricating a Cu-filled via is provided. The method includes the following steps. A via is etched in a dielectric. The via is lined with a diffusion barrier. A thin ruthenium (Ru) layer is conformally deposited onto the diffusion barrier. A thin seed Cu layer is deposited on the Ru layer. A first anneal is performed to increase a grain size of the seed Cu layer. The via is filled with additional Cu. A second anneal is performed to increase the grain size of the additional Cu. L'invention a trait aux techniques d'amélioration de la conductivité de trous d'interconnexion remplis de cuivre (Cu). Un aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'un trou d'interconnexion rempli de cuivre qui comprend les étapes suivantes. Un trou d'interconnexion est gravé dans un diélectrique. Le trou d'interconnexion est recouvert d'une barrière à la diffusion. Une couche mince de ruthénium (Ru) est déposée de façon conforme sur la barrière à la diffusion. Une couche mince de germes de Cu est déposée sur la couche de Ru. Un premier recuit est effectué pour augmenter la taille des germes de Cu. Le trou d'interconnexion est rempli avec une quantité supplémentaire de Cu. Un deuxième recuit est effectué pour augmenter la granulométrie du Cu supplémentaire.