SILICON SOLAR CELL HAVING BORON DIFFUSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Currently the most widespread Al-BSF type solar cell has a limitation in reducing the thickness thereof because of having a back surface Al electrode, resulting in a thickness of about 200 µm, and the conversion efficiency thereof is about 16 to 17 %. To reduce the manufacturing cost of the cell, further reduction in thickness and increase in efficiency are required. An SiO2 film and an SiNx film are formed on both surfaces of a silicon solar cell having an n+-p-p+ structure made by diffusing phosphorus and boron. A grid electrode is formed on a light receiving surface and a thin Al electrode having a large number of small openings is formed over the substantially entire back surface, thereby obtaining a B/Al-BSF type high-efficiency thin solar cell having an n+pp++ structure, in which a p++ layer forming a strong BSF is formed on the Al electrode portion. La présente invention porte sur une cellule solaire au silicium comprenant une couche de diffusion en bore, ainsi que son procédé de fabrication. Actuellement, la cellule solaire de type Al-BSF la plus répandue connaît une limite dans la réduction de son épaisseur parce qu'elle possède une électrode en Al sur la surface postérieure, ce qui donne une épaisseur d'environ 200 µm, et parce que son rendement de conversion est d'environ 16 à 17 %. Afin de réduire le coût de fabrication de la cellule, il est nécessaire d'obtenir une nouvelle réduction de l'épaisseur et une amélioration du rendement. Un film de SiO2 et un film de SiNx sont formés sur les deux surfaces d'une cellule solaire au silicium ayant une structure n+-p-p+ obtenue par diffusion de phosphore et de bore. Une électrode de grille est formée sur une surface recevant la lumière et une électrode mince en Al comprenant un grand nombre de petites ouvertures est formée sur sensiblement la totalité de la surface postérieure, ce qui donne une cellule solaire mince à haut rendement de type B/al-BSF, comprenant une structure n+pp++, dans laquelle une couche p++ formant un puissant BSF est formée sur la partie d'électrode d'Al.