PLANAR CAVITY MEMS AND RELATED STRUCTURES, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURES
A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower wiring layer on a substrate. The method further includes forming a plurality of discrete wires (14) from the lower wiring layer. The method further includes forming an electrode beam (38) over the plural...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower wiring layer on a substrate. The method further includes forming a plurality of discrete wires (14) from the lower wiring layer. The method further includes forming an electrode beam (38) over the plurality of discrete wires. The at least one of the forming of the electrode beam and the plurality of discrete wires are formed with a layout which minimizes hillocks and triple points in subsequent silicon deposition (50).
L'invention porte sur un procédé de formation d'au moins un microsystème électromécanique (MEMS), lequel procédé met en oeuvre la formation d'une couche de câblage inférieure sur un substrat. Le procédé met de plus en oeuvre la formation d'une pluralité de fils individuels (14) à partir de la couche de câblage inférieure. Le procédé met de plus en oeuvre la formation d'un faisceau d'électrodes (38) sur la pluralité de fils individuels. La ou les étapes de formation du faisceau d'électrodes et de la pluralité de fils individuels sont effectuées avec une configuration qui réduit au minimum des reliefs et des points triples dans le dépôt de silicium ultérieur (50). |
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