MULTI-LAYER SUBSTRATE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

A method for manufacturing a multi-layer substrate structure such as a CSOI wafer structure (cavity-SOI, silicon-on-insulator) comprising obtaining a first and second wafer, such as two silicon wafers, wherein at least one of the wafers may be optionally provided with a material layer such as an oxide layer (302, 404), forming a cavity on the bond side of the first wafer (306, 406), depositing, preferably by ALD (Atomic Layer Deposition), a material layer, such as thin alumina layer, on either wafer arranged so as to at least in places face the other wafer and cover at least portion of the cavity of the first wafer, such as bottom, wall and/or edge thereof, and enable stopping etching, such as dry etching, into the underlying material (308, 408), and bonding the wafers provided with at least the aforesaid ALD layer as an intermediate layer together to form the multi-layer semi- conductor substrate structure (310, 312).A related multi-layer substrate structure is presented. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de substrat multicouche telle qu'une structure de plaquette CSOI (cavité-silicium sur isolant) consistant à obtenir deux plaquettes, par exemple deux plaquettes de silicium, dont l'une au moins peut éventuellement être pourvue d'une couche de matériau telle qu'une couche d'oxyde (302, 404), former une cavité sur le côté à assembler de la première plaquette (306, 406), déposer, de préférence par dépôt de couches atomiques (ALD), une couche de matériau telle qu'une couche mince d'alumine, sur l'une ou l'autre plaquette de manière à ce que, au moins à certains endroits, elle se situe en face de l'autre plaquette et recouvre au moins une partie de la cavité de la première plaquette, telle que le fond, la paroi et/ou le bord de celle-ci, et permette de stopper une gravure, telle qu'une gravure sèche, dans le matériau sous-jacent (308, 408), et assembler les plaquettes avec au moins la couche ALD précitée comme couche intercalaire pour former la structure de substrat semi-conducteur multicouche (310, 312). L'invention concerne également la structure de substrat multicouche associée.