THROUGH SILICON VIA TREATMENT DEVICE AND METHOD FOR TREATMENT OF TSVS IN A CHIP MANUFACTURING PROCESS

According to an aspect of the invention, there is provided a chip die TSV treatment device arranged for treatment of TSVs (100) in chip dies in a chip manufacturing process, comprising: a carrier plate (112) comprising clamping zones (114) on a top face arranged for placement of a wafer (150) having...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HUIS IN 'T VELD, ALBERTUS, JOZEF, KNAAPEN, RAYMOND, JACOBUS, WILHELMUS, OOSTERHUIS, GERRIT, DE VREEDE, FREDERIKUS, JOHANNES, MARIA, VAN DEN EIJNDEN, EDWIN, ADRIANUS, CORNELIUS
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:According to an aspect of the invention, there is provided a chip die TSV treatment device arranged for treatment of TSVs (100) in chip dies in a chip manufacturing process, comprising: a carrier plate (112) comprising clamping zones (114) on a top face arranged for placement of a wafer (150) having identified TSVs to be treated; a donor guiding system for guiding a donor (130) over a TSV to be treated, the guiding system adapted to keep the donor distanced from the wafer top surface; an alignable laser system (120) arranged for impinging a laser beam (102) on a side of the donor opposite a side facing the wafer; the laser beam tuned in timing, energy and direction to generate donor matter directed towards the TSV; and a control system for aligning the laser beam and the donor guiding system relative to the TSV. Advantages may further include reduction of process steps and process locations - in particular, obviating the necessity of a photolithographic process step - less material waste and combining manufacturing process stages of TSV cladding and filling. Selon un certain aspect, l'invention concerne un dispositif de traitement d'interconnexion verticale (TSV) conçu pour le traitement des TSV (100) dans des puces, dans le cadre d'un procédé de fabrication de puces, comprenant : une plaque porteuse (112) comprenant des zones de serrage (114) sur une face supérieure conçue pour la mise en place d'une tranche (150) possédant des TSV identifiés à traiter ; un système de guidage de donneur, destiné à guider un donneur (130) au-dessus d'un TSV à traiter, le système de guidage étant conçu pour maintenir le donneur écarté de la surface supérieure de la tranche ; un système laser alignable (120), conçu pour envoyer un faisceau laser (102) sur un côté du donneur opposé au côté faisant face à la tranche, le faisceau laser étant adapté en termes de temps, d'énergie et de direction de façon à générer une matière donneuse envoyée vers le TSV ; et un système de commande destiné à aligner le faisceau laser et le système de guidage du donneur par rapport au TSV. Les avantages peuvent comprendre la réduction du nombre d'étapes du procédé et du nombre de positions du procédé, en particulier la suppression de la nécessité d'une étape de traitement photo-lithographique, la réduction du gaspillage de matière et la combinaison des étapes de placage et de remplissage dans la fabrication des TSV du procédé de fabrication.