NITROGEN DOPED AMORPHOUS CARBON HARDMASK

Embodiments described herein generally relate to the fabrication of integrated circuits and more particularly to nitrogen doped amorphous carbon layers and processes for depositing nitrogen doped amorphous carbon layers on a semiconductor substrate. In one embodiment, a method of forming a nitrogen doped amorphous carbon layer on a substrate is provided. The method comprises positioning a substrate in a substrate processing chamber, introducing a nitrogen containing hydrocarbon source into the processing chamber, introducing a hydrocarbon source into the processing chamber, introducing a plasma-initiating gas into the processing chamber, generating a plasma in the processing chamber, and forming a nitrogen doped amorphous carbon layer on the substrate. Les modes de réalisation de la présente invention concernent la fabrication de circuits intégrés et plus particulièrement de couches de carbone amorphe dopé à l'azote, et des procédés de dépôt de couches de carbone amorphe dopé à l'azote sur un substrat semi-conducteur. Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de formation d'une couche de carbone amorphe dopé à l'azote sur un substrat. Le procédé comprend les étapes consistant à : positionner un substrat dans une chambre de traitement de substrat; introduire une source d'hydrocarbure contenant de l'azote à l'intérieur de la chambre de traitement; introduire une source d'hydrocarbure à l'intérieur de la chambre de traitement; introduire un gaz initiant la formation d'un plasma à l'intérieur de la chambre de traitement; générer un plasma dans la chambre de traitement; et former une couche de carbone amorphe dopé à l'azote sur le substrat.