LIGHT-EMITTING DEVICE WITH HETEROPHASE BOUNDARIES

The invention relates to light-emitting devices (200); in particular, to high effective light-emitting diodes on the base of nitrides of III group elements of the periodic system. The proposed light - emitting device comprises a substrate, a buffer layer (120) formed on the substrate, a first layer (130) from n-type semiconductor formed on the buffer layer, a second layer (150) from p-type semiconductor and an active layer (240) arranged between the first and second layers. The first, the second and the active layers form interlacing of the layers with zinc blende phase structure and layers with wurtzite phase structure forming heterophase boundaries therebetween. Technical result of the invention is increasing the effectiveness (efficiency) of the light - emitting device at the expense of heterophase boundaries available in the light-emitting device which allow to eliminate formation of the potential wells for holes, to increase the uniformity of the hole distribution in the active layer and to ensure suppression of nonradiative Auger recombination. La présente invention a trait à des dispositifs électroluminescents (200); en particulier, à des diodes électroluminescentes très efficaces sur la base de nitrures d'éléments de groupe III du système périodique. Le dispositif électroluminescent selon la présente invention comprend un substrat, une couche tampon (120) formée sur le substrat, une première couche (130) constituée d'un semi-conducteur de type N formée sur la couche tampon, une seconde couche (150) constituée d'un semi-conducteur de type P et une couche active (240) agencée entre les première et seconde couches. La première couche, la seconde couche et la couche active forment un entrelacement de couches avec une structure à phase homogène de zinc et des couches dotées d'une structure à phase de wurtzite formant des limites hétérophasées entre celles-ci. Le résultat technique de la présente invention réside dans une augmentation de l'efficacité du dispositif électroluminescent obtenue grâce aux limites hétérophasées disponibles dans le dispositif électroluminescent qui permettent de supprimer la formation de puits de potentiel pour les trous, d'augmenter l'uniformité de la distribution des trous dans la couche active et de garantir la suppression de la recombinaison Auger non radiative.