TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR OPTOELECTRONIC DEVICES
The invention relates to a transparent conductive substrate for optoelectronic devices, comprising a base (10) and a conductive coating comprising doped zinc oxide, said coating being formed by a single stack of two layers having different electrical conductivity, namely a so-called high electrical...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | The invention relates to a transparent conductive substrate for optoelectronic devices, comprising a base (10) and a conductive coating comprising doped zinc oxide, said coating being formed by a single stack of two layers having different electrical conductivity, namely a so-called high electrical conductivity layer (12) and a so-called low electrical conductivity layer (13), whereby the so-called high electrical conductivity layer (12) forms the part of the stack closest to the base. According to the invention, the high electrical conductivity layer is a layer comprising zinc oxide doped with m wt.-% of oxide of a doping element where m is less than or equal to 6 and the so-called low electrical conductivity layer is a layer comprising zinc oxide doped with (m/p) wt.-% of oxide of a doping element where p is greater than or equal to 2.
Substrat conducteur transparent pour dispositif optoélectronique comprenant un support (10) et un revêtement conducteur à base d'oxyde de zinc dopé, ledit revêtement étant constitué d'un seul empilement de deux couches de conductivité électrique différente, une couche dite de conductivité électrique élevée (12) et une couche dite de conductivité électrique faible (13), la couche dite de conductivité électrique élevée (12) étant la couche constituant l'empilement la plus proche du support, tel que la couche dite de conductivité électrique élevée est une couche à base d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'un élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0 et en ce que la couche dite de conductivité électrique faible est une couche à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p) % en poids d'oxyde d'un élément dopant avec p supérieur ou égal à 2. |
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