METHOD OF FORMING AND PATTERNING CONFORMAL INSULATION LAYER IN VIAS AND ETCHED STRUCTURES

Vias are formed in a substrate using an etch process that forms an undercut profile below the mask layer. The vias are coated with a conformal insulating layer and an etch process is applied to the structures to remove the insulating layer from horizontal surfaces while leaving the insulating layers...

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1. Verfasser: DITIZIO, ROBERT
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Vias are formed in a substrate using an etch process that forms an undercut profile below the mask layer. The vias are coated with a conformal insulating layer and an etch process is applied to the structures to remove the insulating layer from horizontal surfaces while leaving the insulating layers on the vertical sidewalls of the vias. The top regions of the vias are protected during the etchback process by the undercut hardmask. On forme des trous d'interconnexion au moyen d'un processus de gravure qui forme un profil sous-jacent sous le masque intégral. Les trous d'interconnexion sont revêtus avec une couche d'isolation enrobante et on applique un processus de gravure aux structures pour enlever la couche isolante des surfaces horizontales tout en laissant les couches isolantes sur les parois latérales verticales des trous d'interconnexion. Pendant le processus de gravure les zones supérieures des trous d'interconnexion sont protégées par le masque rigide sous-jacent.