SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Disclosed is a substrate processing method for processing a substrate formed with a resist film, which involves exposure steps (S13, S15) in which the substrate is exposed to light several times, and a heat treatment step (S16) in which the substrate is subjected to heat treatment after the exposure steps (S13, S15) and before the substrate is subjected to developing treatment. In the heat treatment step (S16), the heating temperature for the heat treatment is adjusted on the basis of the amount of time that has elapsed from when the first light exposure ends to when the heat treatment begins. La présente invention a trait à un procédé de traitement de substrat permettant de traiter un substrat constitué d'une couche de résist, qui implique des étapes d'exposition (S13, S15) au cours desquelles le substrat est exposé à la lumière à plusieurs reprises et une étape de traitement thermique (S16) au cours de laquelle le substrat est soumis à un traitement thermique après les étapes d'exposition (S13, S15) et avant qu'il ne soit soumis à un traitement de développement. Au cours de l'étape de traitement thermique (S16), la température de chauffage du traitement thermique est réglée en fonction du temps qui s'est écoulé entre le moment où la première exposition lumineuse a pris fin et le moment où le traitement thermique a commencé.