METHODS FOR NITRIDATION AND OXIDATION

Methods of nitridation and selective oxidation are provided herein. In some embodiments, a method of nitridation includes providing a substrate having a first layer disposed thereon, where the substrate is disposed on a substrate support in a process chamber; forming a remote plasma from a process gas comprising nitrogen; and exposing the first layer to a reactive species formed from the remote plasma to form a nitrogen-containing layer, wherein a density of the reactive species is about 109 to about 1017 molecules/cm3 and wherein a pressure in the chamber during exposure of the first layer is about 5 mTorr to about 3 Torr. In some embodiments, the nitrogen-containing layer is a gate dielectric layer for use in a semiconductor device. La présente invention concerne des procédés de nitruration et d'oxydation sélective. Dans certains modes de réalisation, un procédé de nitruration comprend les étapes suivantes : fourniture d'un substrat sur lequel est disposée une première couche, ledit substrat étant disposé sur un support de substrat dans une chambre de traitement ; formation d'un plasma à distance à partir d'un gaz de traitement comprenant de l'azote ; et exposition de la première couche à une espèce réactive formée à partir du plasma à distance, pour former une couche contenant de l'azote. Une densité de l'espèce réactive est comprise entre environ 109 et environ 1017 molécules/cm3, et une pression dans la chambre durant l'exposition de la première couche est comprise entre environ 5 mTorr et environ 3 Torr. Dans certains modes de réalisation, la couche contenant de l'azote est une couche diélectrique de grille destinée à être utilisée dans un dispositif semi-conducteur.