LAYER TRANSFER USING BORON-DOPED SIGE LAYER

A method for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes forming a boron-doped SiGe layer on a bulk silicon substrate; forming an upper silicon (Si) layer over the boron-doped SiGe layer; hydrogenating the boron-doped SiGe layer; bonding the upper Si layer to an alternate substrate; and propagating a fracture at an interface between the boron-doped SiGe layer and the bulk silicon substrate. A system for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes a bulk silicon substrate; a boron-doped Si Ge layer formed on the bulk silicon substrate, such that the boron-doped SiGe layer is located underneath an upper silicon (Si) layer, wherein the boron- doped SiGe layer is configured to propagate a fracture at an interface between the boron- doped SiGe layer and the bulk silicon substrate after hydrogenation of the boron-doped SiGe layer; and an alternate substrate bonded to the upper Si layer. La présente invention a trait à un procédé permettant de procéder à un transfert de couche utilisant une couche de silicium-germanium (SiGe) dopée au bore, lequel procédé comprend les étapes consistant à former une couche de SiGe dopée au bore sur un substrat de silicium brut ; à former une couche de silicium (Si) supérieure au-dessus de la couche de SiGe dopée au bore ; à procéder à l'hydrogénation de la couche de SiGe dopée au bore ; à coller la couche de Si supérieure sur un autre substrat ; et à propager une fracture au niveau d'une interface entre la couche de SiGe dopée au bore et le substrat de silicium brut. La présente invention a également trait à un système permettant de procéder à un transfert de couche utilisant une couche de silicium-germanium (SiGe) dopée au bore, lequel système comprend un substrat de silicium brut ; une couche de SiGe dopée au bore formée sur le substrat de silicium brut, de sorte que la couche de SiGe dopée au bore est située sous une couche de silicium (Si) supérieure, ladite couche de SiGe dopée au bore étant configurée de manière à propager une fracture au niveau d'une interface entre la couche de SiGe dopée au bore et le substrat de silicium brut après l'hydrogénation de la couche de SiGe dopée au bore ; et un autre substrat collé à la couche de Si supérieure.