LIQUID CRYSTAL POLYMER BARRIER FILMS FOR OPTOELECTRONICS

An optoelectronic structure can include a liquid crystal polymer layer and an optoelectronic device adjacent to a first surface of the liquid crystal polymer layer. The liquid crystal polymer layer can include the first surface and a second surface opposite the first surface. In an embodiment, the l...

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Hauptverfasser: CSILLAG, FRANK J, DHOBLE, AVIN V, ZIMMERMAN, MICHAEL A
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An optoelectronic structure can include a liquid crystal polymer layer and an optoelectronic device adjacent to a first surface of the liquid crystal polymer layer. The liquid crystal polymer layer can include the first surface and a second surface opposite the first surface. In an embodiment, the liquid crystal polymer layer can further include a liquid crystal polymer at least partially exposed to a gas at the second surface. In another embodiment, the liquid crystal polymer may be a thermotropic liquid crystal polymer. In still another embodiment, the polymer layer can include an additive to reduce migration of a gas through the polymer layer. Methods of forming such optoelectronic structures can include melt-processing techniques. Selon l'invention, une structure optoélectronique peut comprendre une couche de polymère cristal liquide et un dispositif optoélectronique adjacent à une première surface de la couche de polymère cristal liquide. La couche de polymère cristal liquide peut comprendre la première surface et une deuxième surface opposée à la première surface. Dans un mode de réalisation, la couche de polymère cristal liquide peut comprendre en outre un polymère cristal liquide au moins partiellement exposé à un gaz à la deuxième surface. Dans un autre mode de réalisation, le polymère cristal liquide peut être un polymère cristal liquide thermotrope. Dans encore un autre mode de réalisation, la couche du polymère peut comprendre un additif dans le but de réduire la migration d'un gaz à travers la couche de polymère. Les procédés de formation de telles structures optoélectroniques peuvent comprendre des techniques de traitement à l'état fondu.