PECVD MULTI-STEP PROCESSING WITH CONTINUOUS PLASMA

Embodiments of the present invention provide methods for reducing defects during multi-layer deposition. In one embodiment, the method includes exposing the substrate to a first gas mixture and an inert gas in the presence of a plasma to deposit a first material layer on the substrate, terminating the first gas mixture when a desired thickness of the first material is achieved while still maintaining the plasma and flowing the inert gas, and exposing the substrate to the inert gas and a second gas mixture that are compatible with the first gas mixture in the presence of the plasma to deposit a second material layer over the first material layer in the same processing chamber, wherein the first material layer and the second material layer are different from each other. Des modes de réalisation de la présente invention se rapportent à des procédés de réduction des défauts au cours d'un dépôt à couches multiples. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend l'exposition du substrat à un premier mélange gazeux et à un gaz inerte en présence d'un plasma pour déposer une première couche de matériau sur le substrat, la fin du premier mélange gazeux lorsqu'une épaisseur souhaitée du premier matériau est obtenue tout en continuant à maintenir le plasma et à faire circuler le gaz inerte, et l'exposition du substrat au gaz inerte et à un second mélange gazeux qui sont compatibles avec le premier mélange gazeux en présence du plasma pour déposer une seconde couche de matériau sur la première couche de matériau dans la même chambre de traitement, la première couche de matériau et la seconde couche de matériau étant différentes l'une de l'autre.