MEMORY HAVING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Disclosed are a memory having a three-dimensional structure which can obtain high integration, and a manufacturing method thereof. A contact region connected with a word line is formed to be extended in a first direction from a cell region. A plurality of stepped films which constitute the contact region are formed with steps in a second direction different from the first direction. Further, disclosed is a manufacturing method of a nonvolatile memory in which steps are formed in a direction that is substantially vertical to a direction in which active regions are aligned. Insulating films and etching films are sequentially formed, and steps which are vertical to a direction in which multilayer active layers are disposed are formed through selective etching or transferring of patterns. In addition, the etching films are removed through wet etching, and ONO layers and conductive films are equipped on the multilayer active layers of which sides are exposed, thereby forming a cell transistor. Through the above configuration, a memory with high integration can be manufactured. L'invention porte sur une mémoire ayant une structure en trois dimensions, qui peut obtenir une intégration élevée, et sur son procédé de fabrication. Une région de contact connectée à une ligne de mots est formée de façon à s'étendre dans une première direction à partir d'une région de cellules. Une pluralité de films étagés qui constituent la région de contact sont formés avec des épaulements dans une seconde direction différente de la première direction. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'une mémoire rémanente dans laquelle des épaulements sont formés dans une direction qui est sensiblement verticale par rapport à une direction dans laquelle sont alignées des régions actives. Des films isolants et des films de gravure sont formés en séquence, et des épaulements qui sont verticaux par rapport à une direction dans laquelle sont disposées des couches actives multicouches sont formés par gravure ou transfert sélectifs de motifs. De plus, les films de gravure sont retirés par gravure humide, et des couches oxyde/nitrure/oxyde et des films conducteurs sont disposées sur des couches actives multicouches dont les côtés sont exposés, de façon à former ainsi un transistor de cellule. Grâce à la configuration ci-dessus, une mémoire avec une haute intégration peut être fabriquée.