POLARIZATION RESISTANT SOLAR CELL WITH OXYGEN RICH INTERFACE
A polarization resistant solar cell using an oxygen-rich interface layer is provided. The oxygen-rich interface layer may be comprised of SiOxNy, which may have a graded profile that varies between oxygen-rich proximate to the solar cell to nitrogen-rich distal to the solar cell. A silicon oxide pas...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A polarization resistant solar cell using an oxygen-rich interface layer is provided. The oxygen-rich interface layer may be comprised of SiOxNy, which may have a graded profile that varies between oxygen-rich proximate to the solar cell to nitrogen-rich distal to the solar cell. A silicon oxide passivation layer may be interposed between the solar cell and the SiOxNy graded dielectric layer. The graded SiOxNy dielectric layer may be replaced with a non-graded SiOxNy dielectric layer and a SiN AR coating.
La présente invention concerne une cellule solaire résistante à la polarisation utilisant une couche d'interface riche en oxygène. La couche d'interface riche en oxygène peut être constituée de SiOxNy, qui peut avoir un profil gradué qui varie entre un caractère riche en oxygène à proximité de la cellule solaire et riche en azote en position distale par rapport à la cellule solaire. Une couche de passivation d'oxyde de silicium peut être intercalée entre la cellule solaire et la couche diélectrique de SiOxNy graduée. La couche diélectrique de SiOxNy graduée peut être remplacée par une couche diélectrique de SiOxNy non graduée et un revêtement AR de SiN. |
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