HYBRID DOUBLE BOX BACK GATE SILICON-ON-INSULATOR WAFERS WITH ENHANCED MOBILITY CHANNELS

A semiconductor wafer structure for integrated circuit devices includes a bulk substrate; a lower insulating layer formed on the bulk substrate; an electrically conductive back gate layer formed on the lower insulating layer; an upper insulating layer formed on the back gate layer; and a hybrid semiconductor-on-insulator layer formed on the upper insulating layer, the hybrid semiconductor-on-insulator layer comprising a first portion having a first crystal orientation and a second portion having a second crystal orientation. L'invention porte sur une structure de tranche semi-conductrice pour dispositifs à circuits intégrés, laquelle structure comprend un substrat massif ; une couche isolante inférieure formée sur le substrat massif ; une couche de grille arrière électroconductrice formée sur la couche isolante inférieure ; une couche isolante supérieure formée sur la couche de grille arrière ; et une couche semi-conducteur-sur-isolant hybride formée sur la couche isolante supérieure, la couche semi-conducteur-sur-isolant hybride comprenant une première partie ayant une première orientation cristalline et une seconde partie ayant une seconde orientation cristalline.