X-RAY GENERATING DEVICE WITH ELECTRON SCATTERING ELEMENT AND X-RAY SYSTEM

The present invention relates to X-ray generating technology in general. Providing X-ray generating device internal voltage sources or potentials may help reduce necessary feed-throughs into an evacuated envelope of an X-ray generating device. Consequently, an X-ray generating device comprising an e...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: BEHLING, ROLF, K., O
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to X-ray generating technology in general. Providing X-ray generating device internal voltage sources or potentials may help reduce necessary feed-throughs into an evacuated envelope of an X-ray generating device. Consequently, an X-ray generating device comprising an electron scattering element is presented. According to the present invention, an X-ray generating device is provided, comprising an electron emitting element 16, an electron collecting element 20 and an electron scattering element 42. A primary electron beam 17a is arrangeable between the electron emitting element 16 and the electron collecting element 20. The electron emitting element 16 and the electron collecting element 20 are operatively coupled for generating X- radiation 14. De manière générale, la présente invention concerne une technologie de génération de rayons X. L'utilisation de potentiels ou de sources de tensions internes de générateur de rayons X peut faciliter la réduction des traversées nécessaires dans une enveloppe sous vide d'un générateur de rayons X. Par conséquent, l'invention concerne un générateur de rayons X comprenant un élément de dispersion d'électrons. Selon la présente invention, un générateur radiologique comprend un élément émetteur d'électrons (16), un élément collecteur d'électrons (20) et un élément de dispersion d'électrons (42). Un faisceau d'électrons principal (17a) peut être situé entre l'élément émetteur d'électrons (16) et l'élément collecteur d'électrons (20). L'élément émetteur d'électrons (16) et l'élément collecteur d'électrons (20) sont couplés fonctionnels en vue de la génération d'un rayonnement X (14).