SUPER-HIGH DENSITY POWER TRENCH MOSFET

A method, in one embodiment, can include forming a plurality of trenches in a body region for a vertical metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). In addition, the method can include angle implanting source regions into the body region. Furthermore, dielectric material can be grown within the plurality of trenches. Gate polysilicon can be deposited within the plurality of trenches. Moreover, the method can include chemical mechanical polishing the gate polysilicon. The method can also include etching back the gate polysilicon within the plurality of trenches. La présente invention a trait à un procédé, selon un mode de réalisation, qui peut inclure une étape consistant à former une pluralité de tranchées dans une zone de corps pour un transistor à effet de champ de semi-conducteur d'oxyde de métal (MOSFET) vertical. De plus, le procédé peut inclure une étape consistant à implanter en biseau des zones de source dans la zone de corps. D'autre part, un matériau diélectrique peut être développé à l'intérieur de la pluralité de tranchées. Une couche de polysilicium de grille peut être déposée à l'intérieur de la pluralité de tranchées. De plus, le procédé peut inclure une étape consistant à polir chimico-mécaniquement la couche de polysilicium de grille. Le procédé peut également inclure une étape consistant à procéder à une gravure en retrait de la couche de polysilicium de grille à l'intérieur de la pluralité de tranchées.