SEMICONDUCTOR DEVICE WITH OXYGEN-DIFFUSION BARRIER LAYER AND METHOD FOR FABRICATING SAME

Methods and apparatus are provided for fabricating a transistor. The transistor comprises a gate stack (142, 144, 146) overlying a semiconductor material (104, 106, 108, 110). The gate stack comprises a deposited oxide layer (126) overlying the semiconductor material, an oxygen-diffusion barrier layer (128) overlying the deposited oxide layer, a high-k dielectric layer (134) overlying the oxygen-diffusion barrier layer, and an oxygen-gettering conductive layer (138) overlying the high-k dielectric layer. The oxygen-diffusion barrier layer prevents diffusion of oxygen from the deposited oxide layer to the oxygen-gettering conductive layer. La présente invention concerne des procédés et un appareil permettant de fabriquer un transistor. Le transistor comprend un empilement de grille (142, 144, 146) situé sur un matériau semi-conducteur (104, 106, 108, 110). L'empilement de grille comprend une couche (126) d'oxyde déposée située sur le matériau semi-conducteur, une couche barrière (128) contre la diffusion d'oxygène située sur la couche d'oxyde déposée, une couche diélectrique (134) à constante diélectrique élevée située sur la couche barrière contre la diffusion d'oxygène et une couche conductrice (138) à getter d'oxygène située sur la couche diélectrique à constante diélectrique élevée. La couche barrière contre la diffusion d'oxygène empêche la diffusion d'oxygène entre la couche d'oxyde déposée et la couche conductrice à getter d'oxygène.