ACTIVATION OF GRAPHENE BUFFER LAYERS ON SILICON CARBIDE

ACTIVATION OF GRAPHENE BUFFER LAYERS ON SILICON CARBIDE

A method of electrically activating a structure having one or more graphene layers formed on a silicon carbide layer includes subjecting the structure to an oxidation process so as to form a silicon oxide layer disposed between the silicon carbide layer and a bottommost of the one or more graphene l...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: OIDA, SATOSHI, MCFEELY, FENTON, READ, YURKAS, JOHN, JACOB, HANNON, JAMES, BOWLER
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method of electrically activating a structure having one or more graphene layers formed on a silicon carbide layer includes subjecting the structure to an oxidation process so as to form a silicon oxide layer disposed between the silicon carbide layer and a bottommost of the one or more graphene layers, thereby electrically activating the bottommost graphene layer. L'invention porte sur un procédé d'activation électrique d'une structure comprenant une ou plusieurs couches de graphène formées sur une couche de carbure de silicium, qui consiste à soumettre la structure à un processus d'oxydation de façon à former une couche d'oxyde de silicium agencée entre la couche de carbure de silicium et la couche la plus basse parmi les couches de graphène, ce qui active électriquement la couche de graphène la plus basse.