SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

A sense amplifier (SA11) outputs read data corresponding to the voltage difference between a first main bit line (MBL11) and a second main bit line (RBL11). A voltage supply switching unit (101) supplies a reference voltage (VREF) to the first main bit line (MBL11) that corresponds to the second main bit line (RBL11), which generates a current corresponding to the threshold voltage of a second memory cell (RC11). A resistance switching unit (102) electrically connects the second main bit line (RBL11), which generates the current corresponding to the threshold voltage of the second memory cell (RC11), and a ground node at a prescribed resistance. L'invention concerne un amplificateur de détection (SA11) qui sort des données de lecture correspondant à la différence de tension entre une première ligne de bits principale (MBL11) et une seconde ligne de bits principale (RBL11). Une unité de commutation d'alimentation en tension (101) fournit une tension de référence (VREF) à la première ligne de bits principale (MBL11) qui correspond à la seconde ligne de bits principale (RBL11), qui génère un courant correspondant à la tension seuil d'une seconde cellule mémoire (RC11). Une unité de commutation de résistance (102) relie électriquement la seconde ligne de bits principale (RBL11), qui génère le courant correspondant à la tension seuil de la seconde cellule mémoire (RC11), et un noeud de masse à résistance prescrite.