METHOD FOR MANUFACTURING A THIN-FILM, SILICON-BASED SOLAR CELL

In a method of manufacturing thin-film, silicon-based solar cells there is provided a substrate and deposited thereupon a first electrode layer of transparent, conductive oxide. During a first time span the surface of the transparent, conductive oxide layer is treated. Afterwards there is deposited upon the treated surface a doped layer during a second time span. The treatment of the transparent, conductive oxide surface is performed in an atmosphere which comprises a gaseous dopant with a different amount than comprised in the atmosphere for depositing the doped layer. Beside of this difference, the process for performing the treatment of the surface of the transparent, conductive oxide is equal to the process for depositing the doped layer. Nevertheless, the first time span is substantially shorter than the time span for depositing the doped layer. Dans un procédé de fabrication de photopile à base de silicium en couches minces, il est proposé un substrat et on dépose sur celui-ci une première couche électrode d'oxyde conducteur transparent. Pendant une première durée, la surface de la couche d'oxyde conducteur transparent est traitée. Après cela, on dépose sur la surface traitée une couche dopée pendant une seconde durée. Le traitement de la surface d'oxyde conducteur transparent est effectué dans une atmosphère qui comprend un dopant gazeux en une quantité différente de celle comprise dans l'atmosphère pour le dépôt de la couche dopée. À part cette différence, le procédé permettant la mise en oeuvre du traitement de la surface de l'oxyde conducteur transparent est identique au procédé permettant le dépôt de la couche dopée. Néanmoins, la première durée est considérablement plus courte que la durée pour le dépôt de la couche dopée.