INTERMEDIATE-BAND MATERIAL BASED ON A SEMICONDUCTOR COMPOUND OF TIN CHALCOGENIDE TYPE

The invention relates to compounds formed by inserting, within a starting semiconductor of octahedrally coordinated tetravalent tin chalcogenide type, a transition element, in an octahedral position, for the fabrication of materials or devices for use in photonics. The transition element generates a partially occupied intermediate band separated from the valence and conduction bands of the starting semiconductor, as results from quantum mechanical calculations. This makes it possible, by absorption of two photons having energy that is less than the bandgap of the starting semiconductor, to obtain a result equivalent to that which is achieved by absorbing a photon having energy greater than said bandgap in the absence of an intermediate band. Use of the material of the invention provides a greater yield and higher performance levels in various photovoltaic, photocatalytic, photoelectrochemical, optoelectronic or photon-conversion devices. La invención se refiere a compuestos formados mediante la introducción, dentro de un semiconductor de partida que es de tipo calcogenuro de estaño tetravalente octaédricamente coordinado, de un elemento de transición en posición octaédrica, para la fabricación de materiales o dispositivos para aplicaciones fotónicas. El elemento de transición genera una banda intermedia parcialmente ocupada separada de las de valencia y conducción del semiconductor de partida, según resulta de cálculos mecanocuánticos. Esto posibilita obtener, por absorción de dos fotones de energía inferior a la anchura de la banda prohibida del semiconductor de partida, un resultado equivalente al que se consigue absorbiendo un fotón de energía superior a dicha anchura en ausencia de banda intermedia. Usando el material de la invención se obtiene un mayor rendimiento y mejores prestaciones en diversos dispositivos de tipo fotovoltaico, fotocatalítico, fotoelectroquímico, optoelectrónico o de conversión fotónica. L'invention concerne des composés formés par introduction, dans un semi-conducteur de départ de type chacogénure d'étain tétravalent en coordination octaédrique, d'un élément de transition en position octaédrique, pour la fabrication de matériaux ou de dispositifs destinés à des applications photoniques. Selon des calculs de mécanique quantique, l'élément de transition génère une bande intermédiaire partiellement occupée, séparée des bandes de valence et de conduction du semi-conducteur de départ. Ce matériau permet ainsi d'obtenir par absorption