UNIQUE MARK AND METHOD TO DETERMINE CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY AND REGISTRATION OF RETICLES COMBINED WITH WAFER OVERLAY CAPABILITY

A combined metrology mark, a system, and a method for calculating alignment on a semiconductor circuit are disclosed. The combined metrology mark may include a mask misregistration structure and a wafer overlay mark structure. Cette invention se rapporte à une marque de métrologie combinée, à un sys...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SAIDIN, ZAIN, CHOI, DONGSUB, WIDMANN, AMIR, LASKE, FRANK, ROBINSON, JOHN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A combined metrology mark, a system, and a method for calculating alignment on a semiconductor circuit are disclosed. The combined metrology mark may include a mask misregistration structure and a wafer overlay mark structure. Cette invention se rapporte à une marque de métrologie combinée, à un système et à un procédé destinés à calculer un alignement sur un circuit à semi-conducteur. La marque de métrologie combinée peut comprendre une structure de défaut de repérage de masque et une structure de marque de recouvrement de tranche.