SILICON CARBIDE DUAL-MESA STATIC INDUCTION TRANSISTOR

A dual-mesa static induction transistor (SIT) structure includes a silicon carbide substrate having a layer arrangement formed thereon. Laterally spaced ion implanted gate regions (132) are defined in the layer arrangement. Source regions (133) are defined in the layer arrangement. Each of the source regions can include a channel mesa (114) having a source mesa (108) disposed thereon. The source mesa includes sidewalls relative to a principal plane of the substrate defining a horizontal dimension thereof. The channel mesa includes slanted sidewalls relative to the source mesa and the principal plane of the substrate. Also disclosed is a method of fabricating a dual-mesa SiC transistor device. The method includes implanting ions at a normal relative to a principal plane of the substrate to form gate junctions in upper portions of the substrate and lateral portions of the slanted channel mesas. L'invention concerne une structure de transistor double mésa à induction statique (SIT), comprenant un substrat en carbure de silicium et un agencement de couches agencé sur celui-ci. Des régions de gâchette (132) implantées par ions et espacées latéralement sont définies dans l'agencement de couches. Des régions de source (133) sont définies dans l'agencement de couches. Chacune des régions de source peut comprendre une mésa de canal (114) portant une mésa de source (108). La mésa de source comprend des parois latérales, par rapport à un plan principal du substrat définissant une dimension horizontale de celui-ci. La mésa de canal comprend des parois latérales obliques par rapport à la mésa de source et au plan principal du substrat. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication du dispositif à transistor double mésa en SiC. Le procédé comprend l'implantation d'ions selon une normale au plan principal du substrat, afin de former des jonctions de gâchette dans les parties supérieures du substrat et des parties latérales des mésas de canal à bords inclinés.