METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

A first resist pattern (22) is formed by processing a lower layer resist (19) by lithography by using a first reticle (101) having a first mask pattern (102) extending in a first direction, a second resist pattern (23) is formed by processing an upper layer resist (21) by lithography by using a second reticle (104) having a second mask pattern (103) extending in a second direction different from the first direction, and an opening pattern (24a) which partially exposes surfaces of insulating films (17a, 17b) is formed in a desired rectangular shape on a section where the first resist pattern (22) and the second resist pattern (23) intersect with each other. The insulating films (17a, 17b) are etched by using, as an etching mask, a double-layer mask (24) having the opening pattern (24a), and a connecting hole (25) having the desired rectangular shape in accordance with the opening pattern (24a) is formed on the insulating film. Un premier motif de réserve (22) est formé par traitement d'une réserve de couche inférieure (19) par lithographie en utilisant un premier réticule (101) comportant un premier motif de masque (102) s'étendant dans une première direction. Un second motif de réserve (23) est formé par traitement d'une réserve de couche supérieure (21) par lithographie en utilisant un second réticule (104) comportant un second motif de masque (103) s'étendant dans une seconde direction, différente de la première direction. Un motif d'ouverture (24a,) exposant partiellement des surfaces de films isolants (17a, 17b), est façonné de façon à avoir une forme rectangulaire souhaitée sur une section où se recoupent le premier motif de réserve (22) et le second motif de réserve (23). Les films isolants (17a, 17b) sont gravés en utilisant, comme masque de gravure, un masque à double couche (24) comportant le motif d'ouverture (24a). Un trou de connexion (25), comportant la forme rectangulaire souhaitée conforme au motif d'ouverture (24a), est formé sur le film isolant.