ELECTRICALLY PUMPED OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm. The invention relates to at least one embodiment of the electrically pumped optoelectronic semiconductor chip (1) comprising at least two radioactive quantum wells (2), wherein the radioactive quantum wells (2) comprise or are made of InGaN. The optoelectronic semiconductor chip (1) further comprises at least two coatings (4) comprising or made of AlGaN. Each of the coatings (4) is associated with exactly one of the radioactive quantum wells (2). The coatings (4) are each present at a p-side of the associated radioactive quantum well (2). A distance between the radioactive quantum well (2) and the associated coating (4) is no greater than 1.5 mm. Dans au moins un mode de réalisation, la puce semi-conductrice optoélectronique pompée électriquement (1) objet de l'invention présente au moins deux puits quantiques radioactifs (2) les puits quantiques radioactifs (2) comprenant de l'InGaN ou étant constitués d'InGan. Par ailleurs, la puce semi-conductrice optoélectronique (1) contient au moins deux couches de recouvrement (4) qui comprennent de l'AlGaN ou sont constituées d'AlGan. Chacune des couches de recouvrement (4) est associée précisément à un des puits quantiques radioactifs (2). Les couches de recouvrement (4) se trouvent chacune d'un côté p du puits quantique radioactif (2) associé. La distance entre le puits quantique radioactif (2) et la couche de recouvrement (4) associée est au maximum de 1,5 nm.