LATTICE-MATCHED CHALCOGENIDE MULTI-JUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL

A multi-junction photovoltaic device is disclosed. In certain examples, the device includes an upper photovoltaic cell comprising a first plurality of layers of films, including a first active layer of a chalcogenide having a first lattice constant and first energy band gap, and a lower photovoltaic cell disposed below the upper photovoltaic cell and adapted to receive photon radiation passing through the upper photovoltaic cell, and comprising a second plurality of layers of films, including an active second layer of a IB-IIIA-chalcogenide having a second lattice constant and a second energy band gap. The first lattice constant differs from the second lattice constant by no more than about 10%. The first energy band gap can be greater than the second energy band gap by at least about 0.5 eV, or 0.6 eV, or 0.7 eV. La présente invention concerne un dispositif photovoltaïque multijonction. Dans certains exemples, le dispositif comprend une cellule photovoltaïque supérieure comprenant une première pluralité de couches de films, à savoir une première couche active d'un chalcogénure ayant une première constante de réseau et un premier espace de bande d'énergie, et une cellule photovoltaïque inférieure disposée sous la cellule photovoltaïque supérieure et adaptée pour recevoir des rayonnements de photons traversant la cellule photovoltaïque supérieure, et comprenant une seconde pluralité de couches de films, à savoir une seconde couche active d'un chalcogénure IB-IIIA ayant une seconde constante de réseau et un second espace de bande d'énergie. La première constante de réseau diffère de la seconde constante de réseau de plus de 10 % environ. Le premier espace de bande d'énergie peut être supérieur au second espace de bande d'énergie d'au moins 0,5 eV, ou 0,6 eV, ou encore 0,7 eV.