MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING METHOD

Disclosed is a microwave plasma processing device (100) which comprises: a chamber (1); a microwave generating source (39); waveguide structures (37a, 37b, 31, 28); a gas introduction section (15) that introduces gas for performing plasma processing; an exhaust port (23) to which is connected a gas...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MATSUSE KIMIHIRO, ISHIZUKA SHUUICHI, TAKAHASHI TETSURO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; jpn
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Disclosed is a microwave plasma processing device (100) which comprises: a chamber (1); a microwave generating source (39); waveguide structures (37a, 37b, 31, 28); a gas introduction section (15) that introduces gas for performing plasma processing; an exhaust port (23) to which is connected a gas exhaust device for exhausting the gas within the chamber (1); and a control section (50) that controls the processing conditions. The control section (50) pre-stores the plasma processing distribution of plasma generated in accordance with a plurality of processing recipes whereby plasma of mutually different modes is formed, selects two or more processing recipes whereby the desired plasma processing distribution may be obtained by combining said processing recipes from the plurality of processing recipes, and performs plasma processing in accordance with the selected two or more processing recipes. L'invention porte sur un dispositif de traitement par plasma hyperfréquence (100) qui comprend : une chambre (1); une source de génération d'hyperfréquence (39); des structures de guide d'onde (37a, 37b, 31, 28); une section d'introduction de gaz (15) qui introduit un gaz pour réaliser un traitement par plasma; un orifice d'évacuation (23) auquel est raccordé un dispositif d'évacuation de gaz pour évacuer le gaz contenu dans la chambre (1); et une section de commande (50) qui règle les conditions de traitement. La section de commande (50) stocke préalablement la distribution de traitement par plasma d'un plasma généré conformément à une pluralité de recettes de traitement par lesquelles un plasma de modes mutuellement différents est formé, sélectionne deux recettes de traitement ou plus par lesquelles la distribution de traitement par plasma désirée peut être obtenue par combinaison desdites recettes de traitement issues de la pluralité de recettes de traitement, et réalise un traitement par plasma conformément aux deux recettes de traitement ou plus sélectionnées.