SILICON-RICH NITRIDE ETCH STOP LAYER FOR VAPOR HF ETCHING IN MEMS DEVICE FABRICATION

A thin silicon-rich nitride film (e.g., having a thickness in the range of around 100A to 10000A) deposited using low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) is used for etch stop during vapor HF etching in various MEMS wafer fabrication processes and devices. The LPCVD silicon-rich nitride film may replace, or be used in combination with, a LPCVD stoichiometric nitride layer in many existing MEMS fabrication processes and devices. The LPCVD silicon-rich nitride film is deposited at high temperatures (e.g., typically around 650-900 degrees C). Such a LPCVD silicon-rich nitride film generally has enhanced etch selectivity to vapor HF and other harsh chemical environments compared to stoichiometric silicon nitride and therefore a thinner layer typically can be used as an embedded etch stop layer in various MEMS wafer fabrication processes and devices and particularly for vapor HF etching processes, saving time and money in the fabrication process. Une couche mince de nitrure enrichi en silicium (par exemple ayant une épaisseur comprise dans la plage d'environ 100 Å à 10 000 Å), déposée par un dépôt en phase vapeur par procédé chimique sous basse pression (LPCVD) est utilisée pour arrêter la gravure pendant une gravure en phase vapeur d'acide fluorhydrique (HF) dans différents procédés et dispositifs de fabrication de tranches MEMS. La couche de nitrure enrichi en silicium déposée par LPCVD peut remplacer, ou être utilisée en combinaison avec, une couche de nitrure stoechiométrique déposée par LPCVD dans de nombreux procédés et dispositifs existants de fabrication de MEMS. La couche de nitrure enrichi en silicium déposée par LPCVD est déposée à de hautes températures (par exemple typiquement aux environs de 650-900°C). Une telle couche de nitrure enrichi en silicium déposée par LPCVD présente d'une manière générale une sélectivité de gravure améliorée vis-à-vis d'une vapeur de HF ou d'autres environnements chimiques difficiles, par comparaison avec un nitrure de silicium stoechiométrique, et, par conséquent une couche plus mince peut typiquement être utilisée en tant que couche d'arrêt de gravure noyée dans différents procédés et dispositifs de fabrication de tranches MEMS et en particulier pour des procédés de gravure en phase vapeur de HF, ce qui économise du temps et de l'argent dans le procédé de fabrication.